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学术预告

【学术预告】 室温磁性斯格明子的产生、操控及在器件设计中的潜在应用

行健楼437

报告人:于国强 研究员 博士生导师

(中国科学院物理研究所,青年千人计划 入选者)

报告时间:2019年7月2日 周二上午10:00AM

报告地点: 行健楼437

邀请单位: 物理科学与技术学院

专家简介

于国强,中国科学院物理研究所“特聘研究员”、博士生导师。2007年本科毕业于吉林大学,2012年在中国科学院物理研究所获博士学位。2012至2017年在美国加州大学洛杉矶分校从事自旋电子学研究。2017年获中科院“百人计划”资助。主要从事“薄膜材料的自旋轨道力矩和室温斯格明子”研究。至今已经在Science、Nature Nanotechnology、Nature Materials、Nature Physics、Nature Electronics、Nature Communications、Physical Review Letters、Advanced Materials、Nano Letters等国际重要期刊上发表学术论文70余篇,引用超过3000次;获中国发明和国际专利授权11+9项;有国际会议邀请报告3次。

报告摘要

磁性斯格明子由于具有拓扑保护、尺寸小、驱动电流密度低等优异的属性,有望成为未来高密度、高速度、低功耗磁存储和逻辑功能器件的信息载体。为了实现器件的基本功能,人们需要能够在室温下产生、操控以及探测斯格明子。该报告将简述作者最近的研究进展,包括:(1)证明可以通过控制磁性薄膜材料垂直磁各向异性实现室温斯格明子;(2)在基于反铁磁的薄膜异质结中实现了室温、零磁场下稳定存在的斯格明子;(3)制备出一种室温斯格明子纳米结构,能够利用电学方式产生和操控可控数量的斯格明子;(4)多层膜中斯格明子三维结构的解析。最后简要介绍一下目前有关斯格明子研究中尚待解决的问题。

参考文献:

[1] G. Q. Yu et al.,Nano Letters, 16, 1981 (2016)

[2] G. Q. Yu, et al., Nano Letters, 17, 261 (2017)

[3] G. Q. Yu, et al., Nano Letters 18,980 (2018)

[4] W. J. Li & G. Q. Yu et al.,Advanced Materials 1807683 (2019)

  • 更新时间

    2019年06月20日

  • 阅读量

  • 供稿

    物科院

南京市仙林大学城文苑路1号,
邮编 210023
sun@njnu.edu.cn

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